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BUZ30A H3045A /MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
BUZ30A H3045A的规格信息
BUZ30A H3045A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:90 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:250 ns

典型接通延迟时间:30 ns

零件号别名:BUZ30AH3045AATMA1 BUZ3AH345AXT SP000736082

单位重量:4 g

供应商BUZ30A H3045A
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18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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深圳市宸远科技有限公司BUZ30A H3045A深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BUZ30A H3045A深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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BUZ30A H3045AMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.55 Mbytes共10页BUZ30A H3045A的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		BUZ30A H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-21:¥15.9104
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Rochester		BUZ30A H3045AInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 200V Transistor1000+:￥6.871+:￥11.68
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